Kontakte auf Nanosäulen
// Elektronik und Elektrotechnik // Halbleiter
Ref-Nr: 14213
Einleitung / Abstract
Auf dem Gebiet der Lichterzeugung stellen Halbleiter-Nanosäulen eine neue Entwicklung da. Diese benötigen elektrische Kontakte auf deren Spitzen. Eine Strukturierung von diesen Kontakten ist für die herkömmlichen Verfahren der Halbleitertechnologie unzugänglich. Dieses Problem kann mit dieser neuen Technologie gelöst werden.
Abb.1: Schematische Darstellung des Prozessablaufs
Abb.2: Silizium-Säulen mit Metallkappen.
Hintergrund
Aufdampfen einer Metallisierungsschicht bedeckt die gesamte Oberfläche der Säulen. Dies schließt das Bauelement kurz oder verschlechtert die Lichtausbeute, da die Seitenwände der Nanosäulen zur Lichtabstrahlung transparent bleiben müssen.
Lösung
Die Erfindung ermöglicht lokale Kontaktierungen der Nanosäulen. Das Kontaktmaterial ist selektiv an den Enden der Nanosäulen angebracht. Eine Metallisierung der Seiten-wände findet nicht statt. Der Prozessablauf basiert auf einer Folientransfermethode, s. Abb. 1. Abb. 2 zeigt Silizium-Säulen mit Metallkappen.Vorteile
Elektrische Kontakte auf Spitzen von Säulen
Einfacher, zum Halbleiterstandard kompatibler Prozess
Erhält alle Vorteile von Nanosäulen
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